财联社（上海，编辑陈默）讯，新能源车的快速增长，风光储需求旺盛，IGBT用量大幅增加。此前，敦和资管发布报告指出，目前IGBT市场仍处于紧平衡状态，若下半年新能源汽车、光伏等需求超预期，可能造成IGBT缺货加剧。
目前全球IGBT前五大玩家为英飞凌、三菱、富士电机、安森美和赛米控，其中英飞凌在各个细分市场中都有较大的领先优势。与此同时，本土IGBT企业也在快速进步，技术上逐渐实现对国外领先企业的追赶。
年以来，新能源汽车、光伏和储能等领域对于IGBT需求呈现高增长，已经成为IGBT市场核心驱动力。
IGBT是新能源汽车中的核心元器件。在新能源汽车中的主要应用包括电机控制器、车载充电器（OBC）、车载空调、以及为新能源汽车充电的直流充电桩中。
汽车电动化提升了功率半导体的单车价值量。根据StrategyAnalytics的统计数据，年传统燃油车中功率半导体的价值量仅为71美元，价值量较低；而混合动力汽车中功率半导体的价值量提升至美元，是传统燃油车的6倍；纯电动汽车中的功率半导体价值量提升至美元，是传统燃油车的5.5倍。
IGBT对于新能源车充电桩来说同样具备价值，其在充电桩中的成本占比约20%。华安证券指出，目前，普通充电桩市场价1KW对应价格成本约元，假设直流充电桩价格为-元，交流充电桩价格为-元，预计对应的充电桩IGBT市场在年新增规模43亿元，年新增规模亿元。
国金证券指出，新能源车市场是IGBT的最大增量，预计年全球新能源车IGBT市场规模达亿元、~年CAGR达48%，年全球新能源车IGBT市场规模达亿元，~年CGAR达31%。
IGBT是光伏逆变器、储能逆变器的核心器件。国金证券预计、年光伏储能逆变器出货量达、GW，市场规模达、亿元，对应全球光伏储能IGBT市场规模达、亿元，~年CAGR达30%、~年CAGR达25%，行业增量主要来源于三个方面：新增需求、替换需求、储能需求。
中国IGBT供需缺口仍然较大，国产机会显著。
从行业进入的角度来看，IGBT行业的进入门槛非常高。整体来看，IGBT行业的进入壁垒有三个方面，分别为技术壁垒、市场壁垒以及资金壁垒。IGBT芯片的制造环节有着较高的难度，一方面IGBT芯片本身的背面工艺难度较高，另一方面IDM模式自建产能需要非常大的资金投入。IGBT直接决定下游产品性能，客户的选择通常较为保守，产品的测试验证周期长，替换成本高。全球IGBT市场目前处于德国、日本和美国企业垄断的格局。
IGBT作为功率半导体期间，其技术迭代速度较慢，周期较长，一代产品的使用时间非常长，超过十年。因此，虽然国内IGBT厂家的起步较晚，但是行业留给了本土IGBT厂家充足的发展和追赶的时间，目前国内IGBT厂商技术进步较快，已经有产品能大批量满足下游客户需求。此外，本土IGBT企业的服务更好，能快速响应下游客户的需求，并且产品价格上相比于外资有一定优势，有利于下游客户的降本。
根据Yole数据，年中国IGBT需求量1.32亿只，对应IGBT产量为万只，产量自给率为19.5%。目前我国各大晶圆厂均处于扩张状态，伴随多条8寸、12寸产线投产，IGBT产量也有进一步提升，年IGBT自给率有望提升至40%。
上市公司中，东微半导的TGBT是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。天龙股份上半年顺利开发了标准化的IGBT功能承载模块，应用于新能源汽车主驱动，并拿到了客户的项目定点，预计明年3月份开始量产，间接供货给江淮等新能源汽车。华微电子能提供FRD、IGBT、MOS、SBD等产品，已经直接或间接给多家新能源知名车企等厂家供货。